本站6月9日消息 ，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子設(shè)備解決方案（DS）部門副董事長(zhǎng)全永鉉宣布，三星將于今年下半年采用第六代“1c DRAM”工藝，開(kāi)始量產(chǎn)下一代LPDDR6內(nèi)存，并計(jì)劃向高通等科技巨頭供貨。
面對(duì)中國(guó)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）已完成LPDDR5X內(nèi)存開(kāi)發(fā)并積極追趕的態(tài)勢(shì)，三星明顯加快了LPDDR6的自主研發(fā)步伐。業(yè)內(nèi)觀察認(rèn)為，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)有望在2026年左右實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)品的全面量產(chǎn)。
1c DRAM作為DRAM制造的第六代工藝節(jié)點(diǎn)，相比前代實(shí)現(xiàn)了更高的晶體管密度和更優(yōu)的能效比。三星通過(guò)“設(shè)計(jì)變更”策略顯著提升了1c DRAM的良品率（冷態(tài)達(dá)50%，熱態(tài)達(dá)60%-70%），并計(jì)劃在韓國(guó)華城工廠建設(shè)新產(chǎn)線擴(kuò)大產(chǎn)能。
基于此工藝開(kāi)發(fā)的LPDDR6內(nèi)存，在帶寬和功耗表現(xiàn)上均有顯著提升，能夠滿足AI模型訓(xùn)練、移動(dòng)終端高性能計(jì)算等對(duì)內(nèi)存性能的嚴(yán)苛需求。
行業(yè)消息顯示，高通的下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將首發(fā)支持LPDDR6內(nèi)存，并計(jì)劃于今年的驍龍峰會(huì)上正式亮相。隨著AI應(yīng)用向終端設(shè)備下沉，LPDDR6的高帶寬與高能效成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)力。
三星計(jì)劃通過(guò)向高通等廠商供貨，深化在智能手機(jī)、筆記本電腦及AI服務(wù)器市場(chǎng)的滲透，鞏固其技術(shù)壁壘。此外，三星也將在HBM4等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品中部署1c DRAM技術(shù)，構(gòu)建覆蓋AI全場(chǎng)景的內(nèi)存解決方案。
為支持LPDDR6及1c DRAM的量產(chǎn)，三星正積極推進(jìn)華城工廠新生產(chǎn)線的建設(shè)，預(yù)計(jì)最早于今年年底完成。值得注意的是，三星打破了傳統(tǒng)的開(kāi)發(fā)順序，正同步開(kāi)發(fā)面向DDR（服務(wù)器/PC）和LPDDR（移動(dòng)/低功耗）應(yīng)用的1c DRAM產(chǎn)品，以加速其商業(yè)化進(jìn)程。
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